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半導體物理電子學(英文版)

半導體物理電子學(英文版)

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內容簡介

本書全面介紹了半導體物理的基本內容,這些內容是理解半導體的物理性質和光電器件制備原理的基礎。本書系統性強,合理地安排了物理原理,表征法以及半導體材料和器件的應用等內容,兼顧了物理學家、材料學家和設備工程師的需求。

本書反映了半導體技術在過去十年的進步,包括許多新出現並已進入市場的半導體器件。本書適合于電子工程,材料科學,物理和化學工程的研究生,也可供半導體工業的過程工程師和設備工程師參考。
 

目錄

Preface
1.Classification of Solids and Crystal Structure
1.1 Introduction
1.2 The Bravais Lattice
1.3 The Crystal Structure
1.4 Miller Indices and Crystal Planes
1.5 The Reciprocal Lattice and Brillouin Zone
1.6 Types of Crystal Bindings
1.7 Defects in a Crystalline Solid
Problems
Bibliography
2.Lattice Dynamics
2.1 Introduction
2.2 The One-Dimensional Linear Chain
2.3 Dispersion Relation for a Three-Dimensional Lattice
2.4 The Concept of Phonons
2.5 The Density of States and Lattice Spectrum
2.6 Lattice Specific Heat
Problems
References
Bibliography
3.Semiconductor Statistics
3.1 Introduction
3.2 Maxwell-Boltzmann Statistics
3.3 Fermi-Dirac Statistics
3.4 Bose-Einstein Statistics
3.5 Statistics for the Shallow-Impurity States in a Semiconductor
Problems
Bibliography
4.Energy Band Theory
4.1 Introduction
4.2 Basic Quantum Concepts and Wave Mechanics
4.3 The Bloch-Floquet Theorem
4.4 The Kronig-Penney Model
4.5 The Nearly Free Electron Approximation
4.6 The Tight-Binding Approximation
4.7 Energy Band Structures for Some Semiconductors
4.8 The Effective Mass Concept for Electrons and Holes
4.9 Energy Band Structures and Density of States for Low-Dimensional Systems
Problems
References
Bibliography
5.Equilibrium Properties of Semiconductors
5.1 Introduction
5.2 Densities of Electrons and Holes in a Semiconductor
5.3 Intrinsic Semiconductors
5.4 Extrinsic Semiconductors
5.5 Ionization Energies of Shallow-and Deep-Level Impurities
5.6 Hall Effect,Electrical Conductivity,and Hall Mobility
5.7 Heavy Doping Effects in a Degenerate Semiconductor
Problems
References
Bibliography
6.Excess Carrier Phenomenon in Semiconductors
6.1 Introduction
6.2 Nonradiative Recombination: The Shockley-Read-Hall Model
6.3 Band-to-Band Radiative Recombination
6.4 Band-to-Band Auger Recombination
6.5 Basic Semiconductor Equations
6.6 The Charge-Neutrality Equation
6.7 The Haynes-Shockley Experiment
6.8 The Photoconductivity Decay Experiment
6.9 Surface States and Surface Recombination Velocity
6.10 Deep-Level Transient Spectroscopy Technique
6.11 Surface Photovoltage Technique
Problems
References
Bibliography
7.Transport Properties of Semiconductors
8.Scattering Mechanisms and Carrier Moblities in Semiconductors
9.Optical Properties and Photoelectric Effects
10.Metal-Semiconductor Contacts
11.P-n Junction Diodes
12.Solar Cells and Photodetectors
13.Light-Emitting Devices
14.Bipolar Juction Transistors
15.Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
16.High-Speed Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Devices
Solutions to Selected Problems
Appendix
Index
 

對于國內的物理學工作者和青年學生來講,研讀國外優秀的物理學著作是系統掌握物理學知識的一個重要手段。但是,在國內並不能及時、方便地買到國外的圖書,且國外圖書不菲的價格往往令國內的讀者卻步,因此,把國外的優秀物理原著引進到國內,讓國內的讀者能夠方便地以較低的價格購買是一項意義深遠的工作,將有助于國內物理學工作者和青年學生掌握國際物理學的前沿知識,進而推動我國物理學科研和教學的發展。

為了滿足國內讀者對國外優秀物理學著作的需求,科學出版社啟動了引進國外優秀著作的工作,出版社這一舉措得到了國內物理學界的積極響應和支持,很快成立了專家委員會,開展了選題的推薦和篩選工作,在出版社初造的書單基礎上確定了第一批引進的項目,這些圖書幾乎涉及了近代物理學的所有領域,既有闡述學科基本理論的經典名著,也有反映某一學科專題前沿的專著。在選擇圖書時,專家委員會遵循了以下原則︰基礎理論方面的圖書強調“經典”,選擇了那些經得起時間檢驗、對物理學的發展產生重要影響、現在還不“過時”的著作(如︰狄拉克的《量子力學原理》)。反映物理學某一領域進展的著作強調“前沿”和“熱點”,根據國內物理學研究發展的實際情況,選擇了能夠體現相關學科最新進展,對有關方向的科研人員和研究生有重要參考價值的圖書。這些圖書都是最新版的,多數圖書都是2000年以後出版的,還有相當一部分是2006年出版的新書。因此,這套叢書具有權威性、前瞻性和應用性強的特點。由于國外出版社的要求,科學出版社對部分圖書進行了少量的翻譯和注釋(並且是目錄標題和練習題),但這並不會影響圖書“原汁原味”的感覺,可能還會方便國內讀者的閱讀和理解。

“他山之石,可以攻玉”,希望這套叢書的出版能夠為國內物理學工作者和青年學生的工作和學習提供參考,也希望國內更多專家參與到這一工作中來,推薦更多的好書。
 

詳細資料

  • ISBN:9787030209405
  • 規格:精裝 / 697頁 / 普通級 / 單色印刷 / 次版
  • 出版地:中國

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